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- 大小：719K
- 厂家：STMicroelectronics
- 描述： IGBT, N 600V 19A TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:19A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:130W; Power Dissipation Pd:125W; Pulsed Current Icm:40A; Rise Time:7ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
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